氮化硅生长工艺流程

氮化硅生长工艺流程表面钝化工艺表面钝化工艺表面钝化工艺表面钝化工艺就是在半导体器件表面覆盖保护介质膜，以防止表面污染的工艺。目录概述磷硅玻璃及其生长工艺低温淀积二氧化硅工艺化学汽相淀积氮化硅生长工艺收缩展开概述年，美国人阿塔拉研究了硅器件表面暴露在大气中的不稳定性问题，提出热生长二氧化硅膜具有良好的表面钝化效果。此后，二氧化硅膜得到广泛应用。年代中期，人们发现二氧化硅膜不能完全阻挡有害杂质如钠离子向硅表面的扩散，严重影响器件的稳定性。以后研究出多种表面钝化膜生长工艺，其中以磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅、化学汽相淀积氮化硅、三氧化二铝和聚酰亚胺等最为适用。直接同半导体接触的介质膜通常称为第一钝化层。常用介质是热生长的二氧化硅膜。在形成金属化层以前，在第一钝化层上再生长第二钝化层，主要由磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅等构成，能吸收和阻挡钠离子向硅衬底扩散。为使表面钝化保护作用更好并使金属化层不受机械擦伤，在金属化层上面再生长第。

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