氮化硅生长工艺流程

氮化硅生长工艺流程表面钝化工艺表面钝化工艺表面钝化工艺表面钝化工艺是在半导体器件表面覆盖保护介质膜，以防止表面污染的工艺。目录概述磷硅玻璃及其生长工艺低温淀积二氧化硅工艺化学汽相淀积氮化硅生长工艺收缩展开概述年，美国人阿塔拉研究了硅器件表面暴露在大气中的不稳定性问题，提出热生长二氧化硅膜具有良好的表面钝化效果。此后，二氧化硅膜得到广泛应用。年代中期，人们发现二氧化硅膜不能完全阻挡有害杂质如钠离子向硅表面的扩散，严重影响器件的稳定性。以后研究出多种表面钝化膜生长工艺，其中以磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅、化学汽相淀积氮化硅、三氧化二铝和聚酰亚胺等最为适用。直接同半导体接触的介质膜通常称为钝化层。常用介质是热生长的二氧化硅膜。在形成金属化层以前，在钝化层上再生长第二钝化层，主要由磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅等构成，能吸收和阻挡钠离子向硅衬底扩散。为使表面钝化保护作用更好并使金属化层不受机械擦伤，在金属化层上面再生长第。

氮化硅生长工艺流程吴澜尔张树格陈百义自蔓延燃烧合成-复合粉末的研究第八届全国颗粒制备与处理学术和应用研讨会论文集年杨保华李英兰王红艳氮化硼光频介电常数的计算淮北煤炭师范学院学报自然科学版年期张中建金应荣刘锦云吴护林蔡军气相传输涂层过程中金属的输运介质初探第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集年王锐高峰李道火超微粉体及其制备安徽建筑工业学院学报自然科学版年期叶好华,叶志镇,黄靖云,吴贵斌,赵炳辉,涂江平,侯山昆氧化铝模板法制备纳米线半导体学报年期毕玉惠李君陈斐张东明沈强张联盟含有α-氮化硅晶须的氮化硅流延浆料的制备硅酸盐通报年期董企铭位星彭进邹文俊赵盟月王小品韩平晶须结合剂合成微观组织结构的研究金刚石与磨料磨具工程年期杨大正张跃王锐廖庆亮闫晓琴苑少强燃烧合成-系隔热材料反应热力学《硅酸盐学报》创刊周年暨中国硅酸盐学会年学术年会论文集（二）年江涌王连猛祁宏颖氮化硅粉体的细化第八届全国颗粒制备与处理学术。

氮化硅生长工艺流程达小丽郭霞关宝璐董立闽沈光地应用高频激励源制备低应力氮化硅薄膜研究固体电子学研究与进展年期徐庆安张景文杨晓东巨楷如贺永宁侯洵生长温度对-制备的薄膜性能的影响半导体光电年期周勋左长明邹泽亚廖秀英姬洪罗木昌刘挺赵红二次退火对型的应变影响半导体光电年期丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜钝化层质量分析研究半导体技术年期凡金星施正荣张光春杨健陈如龙李果华沉积双层_对太阳电池性能的影响半导体技术年期郑明波,曹洁明,唐璐,常欣,邓少高,马贤佳,还大军,陶杰,徐国跃自组装与纳米技术微纳电子技术年期胡明高晓明孙嘉奕翁立军杨军伏彦龙汪晓萍低温沉积的和-薄膜的耐原子氧性能中国空间科学学会空间材料专业委员会学术交流会论文集年安红娜杨祖念肖定全余萍刘志强黄昕电化学法制备钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长特性研究第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集年李颖李变晓邹文俊董企铭毛协民电刷镀镍基纳米金刚石复合镀层制备工艺的。

氮化硅生长工艺流程李牧菊,杨柏梁,朱永福,袁剑峰,刘传珍,廖燕平,吴渊氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究液晶与显示年期王颖,申德振,张吉英,刘益春,张振中,吕有明,范希武退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响液晶与显示年期郭玉明,颜鸿斌,凌英,孙红卫,付求舟,顾光旃低密度烧蚀防热透波多功能复合材料的研究玻璃钢复合材料年期徐翔冯杰王友年中性气体流动对放电过程的影响第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集年王瑞春沈鸽袁骏张溪文赵高凌翁文剑韩高荣杜丕一金属诱导氢化非晶硅晶化的研究年材料科学与工程新进展（下）年中国材料研讨会论文集年杜天敏黄韬徐宇新金锋法制备基_薄膜全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议（’）论文集年冯勇朱美芳刘丰珍刘金龙韩一琴热丝助低温多晶硅薄膜制备的研究中国第六届光伏会议论文集年汤亮郝震宏乔东海支持层结构对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响’中国西部地区声学学术交流会论文集年刘奎苑伟政邓进军马炳。